Deux histoires sont à écrire pour suivre les développements de la loi de Moore, une pour chacun de ses versants. Nous entreprenons ici celle du premier versant : mettre de plus en plus de transistors sur une même surface de silicium.
Histoire technologique de la loi de Moore
L’histoire dite « technologique[1] », c’est-à-dire celle du premier versant, est à ce jour une histoire de physiciens du solide, de chimistes, d’opticiens pour le volet scientifique, et une formidable histoire d’ingénierie et pour la mise en place de la production. Il a fallu passer par un nombre considérable de résolutions de problèmes pour arriver aux tailles de miniaturisation de transistors d’aujourd’hui, autour de 28 nm[2]. Ces progrès ont été obtenus grâce à des financements de plus en plus importants d’équipes de R&D massives et concentrées. En outre, les moyens de production, machines et usines, ont suivi cette course, avec là aussi une tendance au gigantisme. Lire la suite »